Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, том 8
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, № 1
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions
Інший ID:
PACS: 02.20.–a, 78.55.–m, 78.40.Fy
Посилання:
Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions / V.G. Deibuk,Yu.G. Korolyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 1. — С. 1-5. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.
Дата:
2005
Переглядів:
754
Завантажень:
396
Анотація:
Using molecular-dynamics method based on three-particle Tersoff’s potential simulation we have studied the Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions. Bond lengths and strain energies of these alloys can be predicted. The calculated results are compared with those obtained from other theoretical calculations and experimental measurements.
