Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Deibuk, V.G.
dc.contributor.author Korolyuk, Yu.G.
dc.date.accessioned 2017-06-10T11:22:12Z
dc.date.available 2017-06-10T11:22:12Z
dc.date.issued 2005
dc.identifier.citation Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions / V.G. Deibuk,Yu.G. Korolyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 1. — С. 1-5. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS: 02.20.–a, 78.55.–m, 78.40.Fy
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119915
dc.description.abstract Using molecular-dynamics method based on three-particle Tersoff’s potential simulation we have studied the Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions. Bond lengths and strain energies of these alloys can be predicted. The calculated results are compared with those obtained from other theoretical calculations and experimental measurements. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис