Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Deibuk, V.G. |
|
dc.contributor.author |
Korolyuk, Yu.G. |
|
dc.date.accessioned |
2017-06-10T11:22:12Z |
|
dc.date.available |
2017-06-10T11:22:12Z |
|
dc.date.issued |
2005 |
|
dc.identifier.citation |
Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions / V.G. Deibuk,Yu.G. Korolyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 1. — С. 1-5. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1560-8034 |
|
dc.identifier.other |
PACS: 02.20.–a, 78.55.–m, 78.40.Fy |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119915 |
|
dc.description.abstract |
Using molecular-dynamics method based on three-particle Tersoff’s potential simulation we have studied the Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions. Bond lengths and strain energies of these alloys can be predicted. The calculated results are compared with those obtained from other theoretical calculations and experimental measurements. |
uk_UA |
dc.language.iso |
en |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|
dc.title |
Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті