Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, том 2
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, № 3
→
Переглянути статтю

Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs

Venger, E.F. ; Beliaev, A.A. ; Boltovets, N.S. ; Ermolovich, I.B. ; Ivanov, V.N. ; Konakova, R.V. ; Milenin, V.V. ; Voitsikhovski, D.I. ; Figielski, T. ; Makosa, A.

Інший ID: PACS: 73.30; 85.30.H, K

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119864

Посилання: Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs / E.F. Venger, A.A. Beliaev, N.S. Boltovets, I.B. Ermolovich, V.N. Ivanov, R.V. Konakova, V.V. Milenin, D.I.Voitsikhovski, T. Figielski, A. Makosa // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 3. — С. 57-61. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Підтримка: The work is supported by STCU, project 464.

Дата: 1999

Завантажень: 334

Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au-Mo-TiBx-GaAs

Анотація:

The analytical, structural and electrophysical techniques have been applied to studies of the thermal degradation mechanism appearing in diode structures with the Schottky barrier Au-Mo-TiBxGaAs. It was shown that the rapid thermal annealing at T = 600 °C during 60 sec in hydrogen atmosphere results in creating the ELS type center in the space charge region of GaAs. This center is represented by the complex VGa+VAs, which has been confirmed by photoluminescence measurements. It causes the appearance of excess current at the initial part of current-voltage characteristic.

Показати повний запис статті