Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x semiconductors formed on porous silicon
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2008, том 11
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2008, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x semiconductors formed on porous silicon
Інший ID:
PACS 68.55.Ac, 73.50.Jt
Посилання:
Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x semiconductors formed on porous silicon / H.A. Hasanov, M.I. Murguzov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 4. — С. 356-359. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.
Дата:
2008
Переглядів:
1033
Завантажень:
401
Анотація:
Presented paper is devoted to studying the methods to prepare epitaxial films
of (PbX)₁₋x(Sm₂X₃)x − (X – S, Se, Te; x = 0.04) semiconductors and to examine the
Hall mobility of charge carriers in these films. It is revealed that the derived dependences
μH (T) for the samples on values of the exponential coefficient ν = 1.7-2.8 testify the
temperature course of mobility in the majority of samples and can be explained via the
dispersion of acoustic oscillations in the lattice and presence of a temperature
dependence on the effective mass.
