Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Photosensitive heterostructures CdTe-PbTe prepared by hot-wall technique
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, том 2
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Photosensitive heterostructures CdTe-PbTe prepared by hot-wall technique
Інший ID:
PACS 71.28, 72.20, 73.40
Посилання:
Photosensitive heterostructures CdTe-PbTe prepared by hot-wall technique / S. Movchan, F. Sizov, V. Tetyorkin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 2. — С. 84-87. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.
Дата:
1999
Переглядів:
738
Завантажень:
398
Анотація:
Hot-wall technique has been used for preparation of CdTe-PbTe heterostructures. BaF₂ single crystals served as substrates. Electrical, photoelectric properties as well as noise spectra were investigated. Heterostructures exhibit photosensitivity up to room temperatures in the middle infrared (IR) region. In the heterostructures investigated at room temperature the 1/f noise is observed at frequencies much less compared to those ones observed in PbSe photoresistors (f = 3000 Hz) for the same IR region. Carrier transport mechanisms and band diagram of the heterostructures are briefly discussed.
