Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, том 15
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation
Інший ID:
PACS 61.80.Ba, 81.40.Wx
Посилання:
Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation / A.V. Kopyshinsky, S.E. Zelensky, E.A. Gomon, S.G. Rozouvan, A.S. Kolesnik // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 4. — С. 376-381. — Бібліогр.: 26 назв. — англ.
Дата:
2012
Переглядів:
993
Завантажень:
412
Анотація:
Laser-induced incandescence (LII) of silicon surface is investigated under the
excitation by a Q-switched YAG:Nd laser. With the increase of laser irradiation dose, the
increase of LII signal is observed, which is attended by visible changes of the surface
geometry. The anomalous behavior of the parameter of non-linearity of LII is observed
with the increase of laser excitation power.
