Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, том 15
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, № 4
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Kopyshinsky, A.V.
dc.contributor.author	Zelensky, S.E.
dc.contributor.author	Gomon, E.A.
dc.contributor.author	Rozouvan, S.G.
dc.contributor.author	Kolesnik, A.S.
dc.date.accessioned	2017-05-31T05:25:26Z
dc.date.available	2017-05-31T05:25:26Z
dc.date.issued	2012
dc.identifier.citation	Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation / A.V. Kopyshinsky, S.E. Zelensky, E.A. Gomon, S.G. Rozouvan, A.S. Kolesnik // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 4. — С. 376-381. — Бібліогр.: 26 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1560-8034
dc.identifier.other	PACS 61.80.Ba, 81.40.Wx
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118730
dc.description.abstract	Laser-induced incandescence (LII) of silicon surface is investigated under the excitation by a Q-switched YAG:Nd laser. With the increase of laser irradiation dose, the increase of LII signal is observed, which is attended by visible changes of the surface geometry. The anomalous behavior of the parameter of non-linearity of LII is observed with the increase of laser excitation power.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title	Laser-induced incandescence of silicon surface under 1064-nm excitation	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA