Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
Репозиторій DSpace/Manakin
Вхід
|
Допомога
Статистика
Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, том 15
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, № 4
→
Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
Makhniy, V.P.
;
Slyotov, М.М.
;
Tkachenko, I.V.
;
Slyotov, А.М.
Інший ID:
PACS 78.66.-w
URI:
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118719
Посилання:
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates / V.P. Makhniy, М.М. Slyotov, I.V. Tkachenko, А.М. Slyotov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 4. — С. 338-339. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
Дата:
2012
Переглядів:
724
Завантажень:
344
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
Анотація:
Using the isovalent substitution method, CdSe heterolayers of cubic modification were obtained for the first time on single-crystal CdTe substrates, and their basic physical properties were studied.
Показати повний запис статті
Файли у цій статті
Name:
06-Makhniy.pdf
Розмір:
1.083Мб
Формат:
PDF
Перегляд/
Відкрити
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, № 4
[17]
Пошук
Пошук
Ця колекція
Розширений пошук
Перегляд
Вся бібліотека
Розділи і Колекції
За датою випуску
Автори
Назви
Теми
Колекція
За датою випуску
Автори
Назви
Теми
Мій обліковий запис
Логін
Реєстрація