Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, том 13
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor
Інший ID:
PACS 61.72.-y, 85.30.Hi, Kk
Посилання:
Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes
made of overcompensated semiconductor / S.I. Vlasov, F.A. Saparov, K.A. Ismailov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 4. — С. 363-365. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.
Дата:
2010
Переглядів:
709
Завантажень:
319
Анотація:
We studied the effect of uniform compression on characteristics of Au–n-Si
Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor. It is shown that
overcompensation is caused by formation of structural defects owing to thermal
treatment of the initial silicon wafers.
