Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2007, том 10
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2007, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing
Інший ID:
PACS 61.72.Cc, 61.71.Ji, 71.55.Eq
Посилання:
Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing / S.V. Shutov, A.D. Shtan'ko, M.B. Litvinova, V.V. Kurak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 4. — С. 26-30. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.
Дата:
2007
Переглядів:
607
Завантажень:
317
Анотація:
The time dependences of changes of the electrophysical, mechanical, and light
emitting characteristics of semiinsulated undoped GaAs single crystals on the dissolving
annealing (Т = 1050 ºС) with the consequent quenching are obtained. The role of
vacancies, interstitial point defects, and dislocations in nonstoichiometric crystals is
revealed.
