Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Effect of pressure on the properties of Al-SiO₂-n-Si<Ni> structures
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, том 15
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Effect of pressure on the properties of Al-SiO₂-n-Si<Ni> structures
Інший ID:
PACS 73.40.Rw
Посилання:
Effect of pressure on the properties of Al-SiO₂-n-Si<Ni> structures / S.I. Vlasov, A.V. Ovsyannikov, B.K. Ismailov, B.H. Kuchkarov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 2. — С. 166-169. — Бібліогр.: 15Х назв. — англ.
Дата:
2012
Переглядів:
771
Завантажень:
379
Анотація:
We investigated the effect of hydrostatic pressure on relaxation characteristics
of the three-layer Al-SiO₂-n-Si<Ni> structures. It was found that 20 min
exposure to a pressure of 8 kbars results in reduction of the integral density of surface
states, while exerting no influence on the generation centers in the bulk.
