Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Effect of pressure on the properties of Al-SiO₂-n-Si<Ni> structures

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Vlasov, S.I.
dc.contributor.author Ovsyannikov, A.V.
dc.contributor.author Ismailov, B.K.
dc.contributor.author Kuchkarov, B.H.
dc.date.accessioned 2017-05-29T16:39:22Z
dc.date.available 2017-05-29T16:39:22Z
dc.date.issued 2012
dc.identifier.citation Effect of pressure on the properties of Al-SiO₂-n-Si<Ni> structures / S.I. Vlasov, A.V. Ovsyannikov, B.K. Ismailov, B.H. Kuchkarov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 2. — С. 166-169. — Бібліогр.: 15Х назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 73.40.Rw
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118305
dc.description.abstract We investigated the effect of hydrostatic pressure on relaxation characteristics of the three-layer Al-SiO₂-n-Si<Ni> structures. It was found that 20 min exposure to a pressure of 8 kbars results in reduction of the integral density of surface states, while exerting no influence on the generation centers in the bulk. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Effect of pressure on the properties of Al-SiO₂-n-Si<Ni> structures uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис