Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Graded-gap AlInN Gunn diodes
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, том 15
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Graded-gap AlInN Gunn diodes
Інший ID:
PACS 61.72.uj, 73.40.Lq, 85.30.Fg
Посилання:
Graded-gap AlInN Gunn diodes / I.P. Storozhenko, A.N. Yaroshenko, M.V. Kaydash // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 2. — С. 176-180. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.
Дата:
2012
Переглядів:
782
Завантажень:
384
Анотація:
The paper deals with the numerical simulation of Gunn diodes operation based
on the graded-gap AlInN. We have obtained the output characteristics of diodes with
different cathode contacts in a wide range of frequencies. Harmonic and biharmonic
modes of operation have been considered. Cutoff frequency and minimum length of the
active region have been estimated. Performances of graded-gap AlInN diodes are
compared with the performances of InN and AlN diodes
