Impurity scattering of band carriers

Boiko, I.I.
Інший ID: PACS 71.20. 72.20 Dp
URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118238
Посилання: Impurity scattering of band carriers/ I.I. Boiko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 2. — С. 214-220. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.
Підтримка: The essential help of Dr. E. B. Kaganovich is gratefully acknowledged.
Дата: 2010
Переглядів: 709
Завантажень: 295
Impurity scattering of band carriers

Анотація:

Mobility of band carriers scattered on donors, partially ionized, partially neutral, at low temperatures, is considered in general and calculated for AIII-BV group crystals. It is shown that temperature dependence of mobility is determined by relationship between number of ionized and neutral donors and by average energy of electrons.

Показати повний запис статті

Файли у цій статті

Icon
Name: 20-Boiko.pdf
Розмір: 1.739Мб
Формат: PDF
Перегляд/Відкрити

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис