Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Zero bias terahertz and subterahertz detector operating at room temperature
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, том 13
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Zero bias terahertz and subterahertz detector operating at room temperature
Інший ID:
PACS 07.57.Kp, 72.20.Ht
Посилання:
Zero bias terahertz and subterahertz detector operating/ N. Momot, V. Zabudsky, Z. Tsybrii, M. Apats'ka, M. Smoliy, N. Dmytruk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 2. — С. 166-169. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.
at room temperature
Дата:
2010
Переглядів:
1013
Завантажень:
371
Анотація:
In this paper, the experimental study of the terahertz and subterahertz hot
electron bolometer based on narrow-gap semiconductor compound Hg₁₋xCdxTe is
presented. The measurements were performed in the temperature range from 77 to
300 K at various operating mode and frequency. The estimated value of the noise
equivalent power at room temperature for detector proposed was 1.3·10⁻⁸ W/Hz¹/² and
5.4·10⁻⁹ W/Hz¹/² at bias current I = 1 mA and I = 0, respectively.
