Аналитически показано, что удельное электросопротивление ρ приконтактного слоя дырочного
ВТСП, граничащего с металлом Ме с электронной проводимостью, является немонотонной функцией
расстояния от интерфейса. Максимальное значение ρ соответствует ρAF ВТСП в антиферромагнитном
диэлектрическом состоянии на расстоянии x, где разность концентраций фермиевских «гостевых» электронов и «аборигенных» дырок nf
е(x) – nf
h = 0. При условии nf
е = соnst величина контактного сопротивления rc интерфейса ВТСП/Ме может быть индикатором изменений nf
h, в частности, температурных. Для
оптимально и слабодопированных двухфазных висмутовых керамик BiSrPbCaCuO измерены температурные зависимости rc(Т) интерфейсов ВТСП/Pb и ВТСП/In. Их особенности соответствуют концепции
локальных пар, существующих в псевдощелевой фазе до температуры распаривания, представлению о
флуктуационной сверхпроводимости, а также переходу в сверхпроводящее состояние.
Аналітично показано, що питомий електроопір ρ приконтактного шару діркового ВТНП, що граничить з металом Ме з електронною провідністю, є немонотонною функцією відстані від інтерфейсу. Максимальне значення ρ відповідає ρAF ВТНП в антиферомагнітному діелектричному стані на відстані x, де
різниця концентрацій ферміївських «гостьових» електронів і «аборигенних» дірок nf
е(x) – nf
h = 0. За умови nf
е = соnst величина контактного опору rc інтерфейсу ВТНП/Ме може бути індикатором змін nf
h, зокрема, температурних. Для оптимально і слабодопованих двофазних вісмутових керамік BiSrPbCaCuO
виміряно температурні залежності rc(Т) інтерфейсів ВТНП/Pb та ВТНП/In. Їх особливості відповідають
концепції локальних пар, які існують в псевдощілинній фазі до температури розпарування, уявленню про
флуктуаційну надпровідність, а також переходу в надпровідний стан.
It is analytically shown that the specific resistivity
ρ of a hole-type HTSC a contact layer abutting upon
an electron-type conductivity metal Ме is a nonmonotonic
function of distance from interface. A maximum
value of ρ corresponds to ρAF of HTSC in the antiferromagnetic
dielectric state at a distance x, where the
difference in densities of Fermi guest electrons and native
holes is e ( ) h 0.
n f x − n f = For (0) соnst ef
n = the
value of rc can be an indicator of changes of hf
n , in particular,
temperature. The temperature dependences rc(Т)
of HTSC/Pb and HТSС/In interfaces in optimally and
slightly doped diphasiс Bi ceramics BiSrPbCaCuO are
measured. Their features correspond: concept of local
pairs, existing in a pseudogap phase till the temperature
of depairing, the idea of fluctuation superconductivity
and the transition to a superconducting state.
