Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Соколенко, В.И.
dc.contributor.author Фролов, В.А.
dc.date.accessioned 2017-05-29T05:17:23Z
dc.date.available 2017-05-29T05:17:23Z
dc.date.issued 2013
dc.identifier.citation Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл / В.И. Соколенко, В.А. Фролов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 2. — С. 134–138. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.other PACS: 74.72.–h, 74.25.F–, 73.40.Сg
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118160
dc.description.abstract Аналитически показано, что удельное электросопротивление ρ приконтактного слоя дырочного ВТСП, граничащего с металлом Ме с электронной проводимостью, является немонотонной функцией расстояния от интерфейса. Максимальное значение ρ соответствует ρAF ВТСП в антиферромагнитном диэлектрическом состоянии на расстоянии x, где разность концентраций фермиевских «гостевых» электронов и «аборигенных» дырок nf е(x) – nf h = 0. При условии nf е = соnst величина контактного сопротивления rc интерфейса ВТСП/Ме может быть индикатором изменений nf h, в частности, температурных. Для оптимально и слабодопированных двухфазных висмутовых керамик BiSrPbCaCuO измерены температурные зависимости rc(Т) интерфейсов ВТСП/Pb и ВТСП/In. Их особенности соответствуют концепции локальных пар, существующих в псевдощелевой фазе до температуры распаривания, представлению о флуктуационной сверхпроводимости, а также переходу в сверхпроводящее состояние. uk_UA
dc.description.abstract Аналітично показано, що питомий електроопір ρ приконтактного шару діркового ВТНП, що граничить з металом Ме з електронною провідністю, є немонотонною функцією відстані від інтерфейсу. Максимальне значення ρ відповідає ρAF ВТНП в антиферомагнітному діелектричному стані на відстані x, де різниця концентрацій ферміївських «гостьових» електронів і «аборигенних» дірок nf е(x) – nf h = 0. За умови nf е = соnst величина контактного опору rc інтерфейсу ВТНП/Ме може бути індикатором змін nf h, зокрема, температурних. Для оптимально і слабодопованих двофазних вісмутових керамік BiSrPbCaCuO виміряно температурні залежності rc(Т) інтерфейсів ВТНП/Pb та ВТНП/In. Їх особливості відповідають концепції локальних пар, які існують в псевдощілинній фазі до температури розпарування, уявленню про флуктуаційну надпровідність, а також переходу в надпровідний стан. uk_UA
dc.description.abstract It is analytically shown that the specific resistivity ρ of a hole-type HTSC a contact layer abutting upon an electron-type conductivity metal Ме is a nonmonotonic function of distance from interface. A maximum value of ρ corresponds to ρAF of HTSC in the antiferromagnetic dielectric state at a distance x, where the difference in densities of Fermi guest electrons and native holes is e ( ) h 0. n f x − n f = For (0) соnst ef n = the value of rc can be an indicator of changes of hf n , in particular, temperature. The temperature dependences rc(Т) of HTSC/Pb and HТSС/In interfaces in optimally and slightly doped diphasiс Bi ceramics BiSrPbCaCuO are measured. Their features correspond: concept of local pairs, existing in a pseudogap phase till the temperature of depairing, the idea of fluctuation superconductivity and the transition to a superconducting state. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.relation.ispartof Физика низких температур
dc.subject Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная uk_UA
dc.title Электросопротивление интерфейса ВТСП–нормальный металл uk_UA
dc.title.alternative Electrical resistivity for HTSC–normal metal interface uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис