Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, том 6
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, № 4
→
Переглянути статтю

Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells

Fodchuk, I.M. ; Gevyk, V.B. ; Gimchinsky, O.G. ; Kislovskii, E.N. ; Kroytor, O.P. ; Molodkin, V.B. ; Olihovskii, S.I. ; Pavelescu, E.M. ; Pessa, M.

Інший ID: PACS: 68.65.Fg

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118086

Посилання: Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells / I.M. Fodchuk, V.B. Gevyk, O.G. Gimchinsky, E.N. Kislovskii, O.P. Kroytor, V.B. Molodkin, S.I. Olihovskii, E.M. Pavelescu, M. Pessa // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 4. — С. 479-486. — Бібліогр.: 23 назв. — англ.

Дата: 2003

Завантажень: 299

Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells

Анотація:

The investigations of multilayer nano-scale systems contained one or two quantum wells are carried out by double-crystal X-ray diffractometry. Processes of interdiffusion of In, Ga atoms and their influence on properties of such systems are considered. The content of nitrogen in quantum wells and buffer layers are defined. It is determined that InxGa₁₋xAs₁₋yNy system has perfect crystalline structure, and interface between layers is coherent.

Показати повний запис статті