Согласно модели БКШ, вероятность заполнения электронных состояний v²k как функции кинетической энергии размазана. Предложен модифицированный механизм формирования v²k при учете флуктуаций вблизи квантового фазового перехода. Оценка ширины сверхпроводящей щели Δ в присутствии
флуктуаций для материала с параметрами, близкими к параметрам ВТСП образцов, дает значение, сопоставимое с реально наблюдавшимся. Основные характеристики предложенной модели напоминают
характеристики модели, используемой для описания ВТСП материалов.
Згідно моделі БКШ, ймовірність заповнення електронних станів v²k як функції кінетичної енергії розмазано. Запропоновано модифікований механізм формування v²k при урахуванні флуктуацій поблизу
квантового фазового переходу. Оцінка ширини надпровідної щілини Δ у присутності флуктуацій для матеріалу з параметрами, близькими до параметрів ВТНП зразків, дає значення, порівняне з значенням, що
реально спостерігалося. Основні характеристики запропонованої моделі нагадують характеристики моделі, яка використовується для опису ВТНП матеріалів.
According to the BCS model the probability of
electron states filling v²k as a function of kinetic energy
is smeared. A modified mechanism of v²k formation
is proposed which takes the fluctuations near
the quantum phase transition into account. The estimations
of a superconducting gap in the presence of
fluctuations for a material with HTS parameters give
values comparable with those observed. The characteristic
features of the proposed model resemble the
properties of HTS.