Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperatures
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2007, том 10
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2007, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperatures
Інший ID:
PACS 68.35.-c, 72.20.Jv, 73.20.-r, 73.40.-c, 85.30.Tv
Посилання:
Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperatures / V.S. Lysenko, I.P. Tyagulsky, I.N. Osiyuk, A.N. Nazarov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 2. — С. 34-39. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.
Дата:
2007
Переглядів:
597
Завантажень:
219
Анотація:
The results of experiments on the influence of recharging the electron traps in
a Si-SiO₂ transition layer on the low-temperature characteristics of fully depleted silicon
in insulator MOSFET devices are presented. It is shown that the low-dose gammaradiation
improves electrophysical parameters of the transition layer.
