Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperatures

Репозиторій DSpace/Manakin

Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис