Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperatures

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2007, том 10
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2007, № 2
→
Переглянути статтю

Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperatures

Lysenko, V.S. ; Tyagulsky, I.P. ; Osiyuk, I.N. ; Nazarov, A.N.

Інший ID: PACS 68.35.-c, 72.20.Jv, 73.20.-r, 73.40.-c, 85.30.Tv

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117890

Посилання: Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperatures / V.S. Lysenko, I.P. Tyagulsky, I.N. Osiyuk, A.N. Nazarov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 2. — С. 34-39. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Дата: 2007

Завантажень: 249

Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperatures

Анотація:

The results of experiments on the influence of recharging the electron traps in a Si-SiO₂ transition layer on the low-temperature characteristics of fully depleted silicon in insulator MOSFET devices are presented. It is shown that the low-dose gammaradiation improves electrophysical parameters of the transition layer.

Показати повний запис статті