Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011, том 14
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium
Інший ID:
PACS 61.72, 72.20
Посилання:
Influence of mutual drag of light and heavy holes
on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium / I.I. Boiko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 437-440. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.
Дата:
2011
Переглядів:
685
Завантажень:
433
Анотація:
Hall-effect and magnetoresistivity of holes in silicon and germanium are
considered with due regard for mutual drag of light and heavy band carriers. Search of
contribution of this drag shows that this interaction has a sufficient influence on both
effects.
