3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC

Vlaskina, S.I. ; Mishinova, G.N. ; Vlaskin, V.I. ; Rodionov, V.E. ; Svechnikov, G.S.
Інший ID: PACS 71.55.Gs, 78.55.-m, Cr, 78.60.-b, 78.66.Hf
URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117791
Посилання: 3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC / S.I. Vlaskina, G.N. Mishinova, V.I. Vlaskin, V.E. Rodionov, G.S. Svechnikov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 432-436. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.
Дата: 2011
Переглядів: 962
Завантажень: 721
3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC

Анотація:

Results of the research on the photoluminescence study of the 3C-6H-SiC phase transformation are presented. 3C-SiC crystals with in grown 3C-6H transformation and pure perfect 3C-SiC crystals grown by the Tairov-Tsvetkov method without a polytypes joint after high temperature annealing were investigated. Fine structure at the energy of E = 2.73, 2.79 eV, E = 2.588 eV, and E = 2.48 eV that appeared after annealing was described. The role of stacking faults in the process of structure transformation was investigated.

Показати повний запис статті

Файли у цій статті

Icon
Name: 09-Vlaskina.pdf
Розмір: 2.420Мб
Формат: PDF
Перегляд/Відкрити

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис