On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n⁺ -n doping step

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014, том 17
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014, № 1
→
Переглянути статтю

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n⁺ -n doping step

Sachenko, A.V. ; Belyaev, A.E. ; Boltovets, N.S. ; Vinogradov, A.O. ; Pilipenko, V.A. ; Petlitskaya, T.V. ; Anischik, V.M. ; Konakova, R.V. ; Korostinskaya, T.V. ; Kostylyov, V.P. ; Kudryk, Ya.Ya. ; Lyapin, V.G. ; Romanets, P.N. ; Sheremet, V.N.

Інший ID: PACS 73.40.Ns, 73.40.Cg, 85.40.-e

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117786

Посилання: On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n⁺ -n doping step / A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.O. Vinogradov, V.A. Pilipenko, T.V. Petlitskaya, V.M. Anischik, R.V. Konakova, T.V. Korostinskaya, V.P. Kostylyov, Ya.Ya. Kudryk, V.G. Lyapin, P.N. Romanets, V.N. Sheremet // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 1. — С. 1-6. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Підтримка: The work was supported by the Project №Ф54/209- 2013 ДФФД–БРФФД–2013.

Дата: 2014

Завантажень: 355

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n⁺ -n doping step

Анотація:

We present both theoretical and experimental temperature dependences of contact resistivity ρс(Т) for ohmic contacts to the silicon n⁺ -n-structures whose n⁺ -layer was formed using phosphorus diffusion or ion implantation. The ρс(Т) dependence was measured in the 125–375 K temperature range with the transmission line method, with allowance made for conduction in both the n⁺ -layer and n⁺ -n doping step.

Показати повний запис статті