Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples

Dolgolenko, A.P. ; Druzhinin, A.A. ; Karpenko, A.Ya. ; Nichkalo, S.I. ; Ostrovsky, I.P. ; Litovchenko, P.G. ; Litovchenko, A.P.
Інший ID: PACS 72.15.Jf, 72.20.Pa
URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117783
Посилання: Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples / A.P. Dolgolenko, A.A. Druzhinin, A.Ya. Karpenko, S.I. Nichkalo, I.P. Ostrovsky, P.G. Litovchenko, A.P. Litovchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 456-460 — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
Дата: 2011
Переглядів: 723
Завантажень: 367
Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples

Анотація:

p-SiGe whisker samples with a diameter of ~40 μm, grown by chemical precipitation from the vapor phase, have been investigated. Temperature dependences of the thermal e.m.f. and conductivity within the temperature interval 20…400 K have been measured. It has been shown that the mobility of holes in p - SiGe whiskers upon the average is 1.5 times higher than that in bulk p - Si samples. p - SiGe whiskers possess smaller phonon scattering and larger phonon dragging in comparison with the bulk p - Si samples.

Показати повний запис статті

Файли у цій статті

Icon
Name: 14-Dolgolenko.pdf
Розмір: 1.403Мб
Формат: PDF
Перегляд/Відкрити

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис