Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011, том 14
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
Інший ID:
PACS 73.21.Fg, 73.50.Gr, Pz
Посилання:
Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells/ Yu.M. Gudenko, V.V. Vainberg, V.M. Poroshin, V.M. Tulupenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 3. — С. 375-379. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.
Підтримка:
The authors are grateful to Prof. O.G. Sarbey for
helpful discussion.
Дата:
2011
Переглядів:
873
Завантажень:
418
Анотація:
The drift of charge carriers in the p-Si₀.₈₈Ge₀.₁₂/Si heterostructures under strong
lateral electric fields and conditions of carrier generation by the band-to-band light
absorption has been investigated experimentally. The data of the drift length, drift
mobility, and lifetime of charge carriers within the temperature range 20 to 77 K under
the electric field up to 1500 V/cm are presented.
