Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011, том 14
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si
Інший ID:
PACS 61.72, 72.20
Посилання:
Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si / I.I. Boiko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 2. — С. 183-187. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
Дата:
2011
Переглядів:
649
Завантажень:
331
Анотація:
Piezoresistance of n-Si is considered with due regard for inter-valley drag. It has been shown that inter-valley drag gains the piezocoefficient and diminishes the mobility. In the region of nondegenerate carriers, the effect of drag increases when the carrier concentration rises and temperature falls.
