Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Charge transport in bismuth orthogermanate crystals
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011, том 14
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Charge transport in bismuth orthogermanate crystals
Інший ID:
PACS 72.20.Ht, -i
Посилання:
Charge transport in bismuth orthogermanate crystals / T.M. Bochkova, S.N. Plyaka // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 2. — С. 170-174. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.
Дата:
2011
Переглядів:
666
Завантажень:
449
Анотація:
Current-voltage relations in bismuth orthogermanate crystals with Ag, Pt, InGa
electrodes have been measured in the modes of double and unipolar injection of
charge carriers. It has been shown that Bi₄Ge₃O₁₂ is relaxation type semiconductor. The
appearance of the regions with negative differential resistance or sublinear rise of the
current in characteristics is connected with the injection of the minority charge
carriers and recombination processes in the space charge layer.
