Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>

Abstract

Установлено, что при температурах Т<200 К в нелегированных и легированных оловом (0,2 и 0,4 ат.% Sn) монокристаллах InSe поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле существует прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Оценены плотность состояний вблизи уровня Ферми (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³), их энергетический разброс (ΔE=0,028–0,040эВ), радиус локализации (а=58Ǻ) и средние расстояния прыжков (Rav=99,5–130Ǻ) в интервале температур 100–200 К.

Встановлено, що при температурах Т<200 К в нелегованих та легованих оловом (0,2 та 0,4 ат.% Sn) монокристалах InSe поперек їхніх природних шарів у постійному електричному полі має місце стрибкова провідність зі змінною довжиною стрибка. Оцінено щільність станів поблизу рівня Фермі (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³), їх енергетичний розкид (ΔE=0,028–0,040еВ), радіус локалізації (а=58Ǻ) та середні відстані стрибків (Rav=99,5–130Ǻ) в інтервалі температур 100–200 К.

It is found that InSe and InSe<Sn> (0.2 and 0.4 at.% Sn) single crystals exhibit a variable range hopping conduction along the normal to their natural layers at temperatures T<200 K in a dc electric field. Estimations are made for the density of states near the Fermi level (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³) and their energy spread (ΔE=0.028–0.040eV), the localization radius (а=58Ǻ), the average jump distance (Rav=99.5–130Ǻ) at temperatures ranged from 100 to 200 К.