Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Мустафаева, С.Н. |
|
dc.contributor.author |
Асадов, М.М. |
|
dc.contributor.author |
Исмайлов, А.А. |
|
dc.date.accessioned |
2017-05-19T08:18:54Z |
|
dc.date.available |
2017-05-19T08:18:54Z |
|
dc.date.issued |
2010 |
|
dc.identifier.citation |
Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> / С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 4. — С. 394-397. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
0132-6414 |
|
dc.identifier.other |
PACS: 71.20.Nr, 72.20.Ee, 72.20.Fr, 72.20.Ht |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117013 |
|
dc.description.abstract |
Установлено, что при температурах Т<200 К в нелегированных и легированных оловом (0,2 и 0,4 ат.% Sn) монокристаллах InSe поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле существует прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Оценены плотность состояний вблизи уровня Ферми (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³), их энергетический разброс (ΔE=0,028–0,040эВ), радиус локализации (а=58Ǻ) и средние расстояния прыжков (Rav=99,5–130Ǻ) в интервале температур 100–200 К. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Встановлено, що при температурах Т<200 К в нелегованих та легованих оловом (0,2 та 0,4 ат.% Sn) монокристалах InSe поперек їхніх природних шарів у постійному електричному полі має місце стрибкова провідність зі змінною довжиною стрибка. Оцінено щільність станів поблизу рівня Фермі (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³), їх енергетичний розкид (ΔE=0,028–0,040еВ), радіус локалізації (а=58Ǻ) та середні відстані стрибків (Rav=99,5–130Ǻ) в інтервалі температур 100–200 К. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
It is found that InSe and InSe<Sn> (0.2 and 0.4 at.% Sn) single crystals exhibit a variable range hopping conduction along the normal to their natural layers at temperatures T<200 K in a dc electric field. Estimations are made for the density of states near the Fermi level (NF=5.36·10¹⁸–1.72·10¹⁹ eV⁻¹⋅сm⁻³) and their energy spread (ΔE=0.028–0.040eV), the localization radius (а=58Ǻ), the average jump distance (Rav=99.5–130Ǻ) at temperatures ranged from 100 to 200 К. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Физика низких температур |
|
dc.subject |
Низкотемпеpатуpный магнетизм |
uk_UA |
dc.title |
Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn> |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Charge transfer over localized states in InSe and InSe<Sn> single crystals |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті