Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями

Abstract

Исследован процесс химико-механического полирования (ХМП) поверхности полупроводниковых кристаллов Ві₂Te₃ и твердых растворов n-(Bi₂Te₃)₀,₉ (Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅ и p-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ бромвыделяющими травителями. Изучены зависимости скоростей ХМП от разбавления базового полирующего травителя органическими компонентами, а также состояние поверхности после полирования. Оптимизированы составы полирующих смесей и режимы проведения операций для формирования высококачественной полированной поверхности.

The process of chemical-mechanical polishing (CMP) of the surface of semiconductor crystals of Bi₂Te₃, n-(Bi₂Te₃)₀,₉(Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅ and p-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂ (Sb₂Se₃)₀,₀₃ by etchants, which release bromine, was investigated. The dependence of CMP rate on dissolution of basic polishing etchant by organic compounds and the state of the surface after polishing was studied. The compositions of polishing compounds and modes of operation for the formation of high-quality polished surface were optimized.