Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
→
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011
→
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011, вип. 46
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Павлович, И.И.
dc.contributor.author	Томашик, В.Н.
dc.contributor.author	Томашик, З.Ф.
dc.contributor.author	Стратийчук, И.Б.
dc.contributor.author	Копыл, А.И.
dc.date.accessioned	2017-05-13T20:40:38Z
dc.date.available	2017-05-13T20:40:38Z
dc.date.issued	2011
dc.identifier.citation	Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями / И.И. Павлович, В.Н. Томашик, З.Ф. Томашик, И.Б. Стратийчук, А.И. Копыл // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 68-73. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	0233-7577
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116699
dc.description.abstract	Исследован процесс химико-механического полирования (ХМП) поверхности полупроводниковых кристаллов Ві₂Te₃ и твердых растворов n-(Bi₂Te₃)₀,₉ (Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅ и p-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ бромвыделяющими травителями. Изучены зависимости скоростей ХМП от разбавления базового полирующего травителя органическими компонентами, а также состояние поверхности после полирования. Оптимизированы составы полирующих смесей и режимы проведения операций для формирования высококачественной полированной поверхности.	uk_UA
dc.description.abstract	The process of chemical-mechanical polishing (CMP) of the surface of semiconductor crystals of Bi₂Te₃, n-(Bi₂Te₃)₀,₉(Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅ and p-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂ (Sb₂Se₃)₀,₀₃ by etchants, which release bromine, was investigated. The dependence of CMP rate on dissolution of basic polishing etchant by organic compounds and the state of the surface after polishing was studied. The compositions of polishing compounds and modes of operation for the formation of high-quality polished surface were optimized.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
dc.title	Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями	uk_UA
dc.title.alternative	Chemical-mechanical polishing of solid solutions crystals based on bismuth and antimony tellurides by compositions, which release bromine	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.794.4 : 546.87'24