Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Асніс, Ю.А. | |
| dc.contributor.author | Баранський, П.І. | |
| dc.contributor.author | Бабич, В.М. | |
| dc.contributor.author | Піскун, Н.В. | |
| dc.contributor.author | Статкевич, І.І. | |
| dc.date.accessioned | 2017-05-13T20:40:27Z | |
| dc.date.available | 2017-05-13T20:40:27Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.identifier.citation | Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю.А. Асніс, П.І. Баранський, В.М. Бабич, Н.В. Піскун, І.І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 57-61. — Бібліогр.: 6 назв. — укр. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 0233-7577 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116697 | |
| dc.description.abstract | Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки. | uk_UA |
| dc.description.abstract | The article presents data about the effect of sterility of vacuum melting chamber on the content of the alloying (P) and background (O) impurites in single crystals of Si, obtained by crucibleless electron-beam zone melting. | uk_UA |
| dc.language.iso | uk | uk_UA |
| dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника | |
| dc.title | Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки | uk_UA |
| dc.title.alternative | Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.identifier.udc | 621.315,592 |
