Получены и исследованы поверхностно-барьерные фотопреобразователи на основе твердых растворов Cd₀.₄Zn₀.₆S. Сенсоры, в отличие от известных УФ сенсоров на основе ZnS, чувствительны во всей УФ области спектра, что позволяет с применением стеклянных фильтров получать на их основе селективный полупроводниковый сенсор УФ-А диапазона. Проблема получения низкоомной поликристаллической пленки Cd₀.₄Zn₀.₆S и создания к ней омического контакта решается путем создания на текстурированной подложке CdS многослойной гетероструктуры с промежуточными варизонными слоями. Для уменьшения рекомбинационных потерь фотоносителей на границе раздела реализован оригинальный вариант встраивания тонкого варизонного слоя CdxZn1-xSe в ОПЗ поверхностно-барьерной структуры.
Surface-barrier photoconverters based on Cd₀.₄Zn₀.₆S solid solutions have been prepared and studied. These sensors, contrary to the known ZnS-based UV sensors, are sensitive over the whole UV spectral range. It makes it possible to obtain selective semiconductor sensor for UV-A range based on glass filters. The problem of preparation of low-resistance polycrystalline Cd₀.₄Zn₀.₆S film with ohmic contact has been solved by formation of a multilayer heterostructure with graded-gap interlayers on a textured CdS substrate. To reduce recombination losses of charge photocarriers at the interface, the original version of incorporation of a thin graded-gap CdxZn1–xSe layer into space-charge region of the surface-barrier structure has been applied.