Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Бобренко, Ю.Н. |
|
dc.contributor.author |
Павелец, С.Ю. |
|
dc.contributor.author |
Семикина, Т.В. |
|
dc.contributor.author |
Шереметова, Г.И. |
|
dc.contributor.author |
Ярошенко, Н.В. |
|
dc.date.accessioned |
2016-11-17T17:57:44Z |
|
dc.date.available |
2016-11-17T17:57:44Z |
|
dc.date.issued |
2014 |
|
dc.identifier.citation |
Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS / Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, Т.В. Семикина, Г.И. Шереметова, Н.В. Ярошенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 69-74. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
0233-7577 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108927 |
|
dc.description.abstract |
Получены и исследованы поверхностно-барьерные фотопреобразователи на основе твердых растворов Cd₀.₄Zn₀.₆S. Сенсоры, в отличие от известных УФ сенсоров на основе ZnS, чувствительны во всей УФ области спектра, что позволяет с применением стеклянных фильтров получать на их основе селективный полупроводниковый сенсор УФ-А диапазона. Проблема получения низкоомной поликристаллической пленки Cd₀.₄Zn₀.₆S и создания к ней омического контакта решается путем создания на текстурированной подложке CdS многослойной гетероструктуры с промежуточными варизонными слоями. Для уменьшения рекомбинационных потерь фотоносителей на границе раздела реализован оригинальный вариант встраивания тонкого варизонного слоя CdxZn1-xSe в ОПЗ поверхностно-барьерной структуры. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Surface-barrier photoconverters based on Cd₀.₄Zn₀.₆S solid solutions have been prepared and studied. These sensors, contrary to the known ZnS-based UV sensors, are sensitive over the whole UV spectral range. It makes it possible to obtain selective semiconductor sensor for UV-A range based on glass filters. The problem of preparation of low-resistance polycrystalline Cd₀.₄Zn₀.₆S film with ohmic contact has been solved by formation of a multilayer heterostructure with graded-gap interlayers on a textured CdS substrate. To reduce recombination losses of charge photocarriers at the interface, the original version of incorporation of a thin graded-gap CdxZn1–xSe layer into space-charge region of the surface-barrier structure has been applied. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
|
dc.title |
Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения с варизонными слоями на основе твердых растворов CdxZn1–xS |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Photoelectric converters of UV radiation with graded-gap layers based on CdxZn1–xS solid solutions |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
621.315.592; 621.384.2 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті