Вплив поверхні та міжзеренних меж на розсіювання носіїв струму у тонких плівках на основі станум телуриду

Abstract

Досліджено вплив товщини чистих і легованих бісмутом плівкок станум телуриду, осадженого на свіжих сколах (0001) слюди мусковіт на їх наноструктуру і механізми розсіювання носіїв струму. Встановлено, що домінуючу роль відіграє розсіювання на поверхні і міжзеренних межах, відносний внесок яких визначається вмістом легуючої домішки. Запропоновано кристалохімічні механізми легування, пов’язані із розміщенням атомів вісмуту в катіонних структурах.

Исследовано влияние толщины чистых и легированных висмутом пленок станум теллурида, осажденного на свежих сколах (0001) слюды мусковит на их наноструктуру и механизмы рассеяния носителей тока. Установлено, что доминирующую роль играет рассеяние на поверхности и межзеренных границах, относительный вклад которых определяется содержанием легирующей примеси. Предложены кристаллохимические механизмы легирования, связанные с размещением атомов висмута в катионных структурах.

The influence of the thickness pure and bismuth doped tin telluride films deposited on fresh mica substrates (0001) for their nanostructure and scattering mechanisms of charge carrier are researched. Established that the dominant scattering mechanism is surface scattering and scattering on the intergrain boundaries which determined by the dopant content. Crystal chemistry doping mechanisms which associated with placement of Bi atoms in cationic structures are proposed.

Автори висловлюють влячність проф. Мудрому С. І. за проведення АСМ-досліджень, к. ф. -м. н. Яворському Я. С. за допомогу при отриманні конденсатів, а Ткачуку А. І. — при дослідженні термоелектричних параметрів. Робота виконана згідно комплексного наукового проекту МОН України (державний реєстраційний номер 0113U000185, та ДФФД України (державний реєстраційний номер 0113U003689).