Представлено результати дослідження характеристик селеніду галія з впровадженою між його шари амінокислотою гістидин (htd). Встановлено характер змін частотної поведінки питомого комплексного імпедансу, діелектричної проникності та тангенса кута втрат вздовж та перпендикулярно до нанопрошарків наногібридизованих структур GaSe<htd>. Отримані неординарні ефекти: сходинковий характер ВАХ перпендикулярно до шарів наногібридизованої структури та випрямляючий — при освітленні вздовж шарів; значне зростання діелектричної проникності в темряві та при освітленні і гіперколосальне в магнітному полі при значенні тангенса кута електричних втрат меншого одиниці.
В работе представлены результаты исследований свойств селенида галлия с внедренной в межслоистое пространство аминокислотой гистидин (htd). Установлен характер изменения частотного поведения удельного комплексного импеданса, диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь вдоль и перпендикулярно слоям наногибридизированной структуры GaSe<htd>. Установлен факт проявления неординарных эффектов: ступенчатый характер ВАХ измеренный перпендикулярно к слоям наногибридизированной структуры и выпрямляющей характер — вдоль слоев при освещении; значительное увеличение диэлектрической проницаемости в темноте и при освещении и колоссальное в магнитном поле, при значении тангенса угла электрических потерь менее единицы.
Results of the study of gallium selenide properties with amino acid histidine (htd) inserted in the interlayer space are represented. The type of the change of specific complex impedance, permittivity and dissipation factor along and across the layers of nanocomposite GaSe<htd> is found. Appearance of nonordinary effects: graduated type of current-voltage characteristic (CVC) measured across the illuminated nanohybrid structure and straightening type along the illuminated layers; significant increase of permittivity in dark and illumination and tremendous increase in magnetic field at dissipation factor less than one is determined.