Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN

Abstract

Рассматриваются резонансно-туннельные диоды (РТД) на основе двойных и тройных соединений нитридов AlN, GaN, InN c большим количеством энергетических уровней в квантовых ямах. Расчитаны вольтамперные характеристики резонансно- туннельных диодов с числом уровней в квантовой яме до пяти. Показано, что такие РТД могут иметь до пяти участков с отрицательной дифференциальной проводимостью (ОДП). Определены возможные эффективности генерации на всех участках ОДП. Сделаны оценки максимальных частот генерации на каждом участке ОДП.

Розглядаються резонансно-тунельні діоди (РТД) на основі подвійних і потрійних сполук нітридів AlN, GaN, InN з великою кількістю енергетичних рівнів у квантових ямах. Розраховано вольтамперні характеристики резонансно-тунельних діодів із числом рівнів у квантовій ямі до п'яти. Показано, що вольтамперні характеристики РТД можуть мати до п'яти ділянок з негативною диференційною провідністю (НДП). Визначено можливі ефективності генерації на всіх ділянках НДП. Зроблено оцінки максимальных частот генерації на кожній ділянці НДП.

Resonance tunnelling diodes (RTD) on the base nitrides AlN, GaN, InN have being investigated. Сurrent-voltage characteristics of RTD with five energy levels were calculated. The current-voltage characteristics RTD was demonstrade to have five negative resistance region. The possible oscillation efficiencies for all negative resistance region was determined.The estimation of maximal oscillation frequency for each negative resistance region has been determined.