Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Боцула, О.В.
dc.contributor.author Прохоров, Э.Д.
dc.contributor.author Безмаль, И.П.
dc.date.accessioned 2010-08-06T15:45:46Z
dc.date.available 2010-08-06T15:45:46Z
dc.date.issued 2008
dc.identifier.citation Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN / О.В. Боцула, Э.Д. Прохоров, И.П. Безмаль // Радіофізика та електроніка. — 2008. — Т. 13, № 3. — С. 518-522. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 1028-821X
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/10798
dc.description.abstract Рассматриваются резонансно-туннельные диоды (РТД) на основе двойных и тройных соединений нитридов AlN, GaN, InN c большим количеством энергетических уровней в квантовых ямах. Расчитаны вольтамперные характеристики резонансно- туннельных диодов с числом уровней в квантовой яме до пяти. Показано, что такие РТД могут иметь до пяти участков с отрицательной дифференциальной проводимостью (ОДП). Определены возможные эффективности генерации на всех участках ОДП. Сделаны оценки максимальных частот генерации на каждом участке ОДП. uk_UA
dc.description.abstract Розглядаються резонансно-тунельні діоди (РТД) на основі подвійних і потрійних сполук нітридів AlN, GaN, InN з великою кількістю енергетичних рівнів у квантових ямах. Розраховано вольтамперні характеристики резонансно-тунельних діодів із числом рівнів у квантовій ямі до п'яти. Показано, що вольтамперні характеристики РТД можуть мати до п'яти ділянок з негативною диференційною провідністю (НДП). Визначено можливі ефективності генерації на всіх ділянках НДП. Зроблено оцінки максимальных частот генерації на кожній ділянці НДП. uk_UA
dc.description.abstract Resonance tunnelling diodes (RTD) on the base nitrides AlN, GaN, InN have being investigated. Сurrent-voltage characteristics of RTD with five energy levels were calculated. The current-voltage characteristics RTD was demonstrade to have five negative resistance region. The possible oscillation efficiencies for all negative resistance region was determined.The estimation of maximal oscillation frequency for each negative resistance region has been determined. uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України uk_UA
dc.subject Радиофизика твердого тела и плазмы uk_UA
dc.title Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN uk_UA
dc.title.alternative Резонансно-тунельні діоди на основі нітридів AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN uk_UA
dc.title.alternative Resonance tunnelling diodes on ALN/ALxGA1-xN, GAN/INxGA1-xN uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 537.311.322:621.382.2


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис