Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Радіофізика та електроніка
→
Радіофізика та електроніка, 2012 (том 3(17))
→
Радіофізика та електроніка, 2012, № 3
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Прохоров, Э.Д.
dc.contributor.author	Боцула, О.В.
dc.contributor.author	Клименко, О.А.
dc.contributor.author	Стороженко, И.П.
dc.date.accessioned	2016-09-12T19:09:36Z
dc.date.available	2016-09-12T19:09:36Z
dc.date.issued	2012
dc.identifier.citation	Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко, И.П. Стороженко // Радіофізика та електроніка. — 2012. — Т. 3(17), № 3. — С. 72-78. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	1028-821X
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/105898
dc.description.abstract	Исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами (РТГ) в структурах типа «сэндвич» на основе GaAs. Рассмотрены одно- и двухуровневые модели РТГ. Оценен частотный предел работы диодов с РТГ. Показана возможность генерации гармоник и умножения частоты на диодах с РТГ в диапазоне несколько десятков гигагерц.	uk_UA
dc.description.abstract	Досліджено вольтамперні характеристики та ефективність генерації діодів з резонансно-тунельними межами (РТМ) в структурах типу «сандвич» на основі GaAs. Розглянуто одно- і дворівневі моделі РТМ. Оцінено частотну межу роботи діодів з РТМ. Показано можливість генерації гармонік і множення частоти на діодах з РТМ у діапазоні кілька десятків гігагерц.	uk_UA
dc.description.abstract	We study the current-voltage characteristics and the efficiency of generation diodes with resonant-tunnel boundaries in the structures of the «sandwich» type based on GaAs. We consider single-level and two-level model of the resonant-tunnel border. Frequency limit of the diode with resonant-tunnel border was estimated. A possibility of harmonic generation and frequency multiplication of the diodes with resonant tunnel border in the range of tens to hundreds of GHz was shown.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Радіофізика та електроніка
dc.subject	Вакуумная и твердотельная электроника	uk_UA
dc.title	Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте	uk_UA
dc.title.alternative	Эффективність генерації діодів з резонансно-тунельними межами в «сандвич»-варіанті	uk_UA
dc.title.alternative	Efficiency of diodes generation with resonant-tunnel boundaries in the structures of the «sandwich» type	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.382.2