Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств

Abstract

Отработаны технологические режимы анизотропного травления многослойных структур на базе GaN для нужд современной оптоэлектроники с использованием комбинированного индукционно-емкостного разряда в смеси метана с водородом. Получена скорость травления до 100 нм/мин и селективность относительно SiO₂ на уровне 6:1, что демонстрирует пригодность данной технологии для использования в производстве белых светодиодов. Травление проводится без использования агрессивных соединений, которые содержат хлор и фтор.

Відпрацьовано технологічні режими анізотропного травління багатошарових структур на базі GaN для потреб сучасної оптоелектроніки з використанням комбінованого індукційно-ємнісного розряду в суміші метану з воднем. Отримано швидкість травління до 100 нм/хв і селективність відносно SiO₂ на рівні 6:1, що демонструє придатність даної технології для використання у виробництві білих світлодіодів. Травління проводиться без використання агресивних сполук, які містять хлор і фтор.

Technological regimes of anisotropic etching of multilayer GaN-based structures for needs of modern optoelectronics have been developed with use of combined ICP reactor with RF bias in methanehydrogen mixture. Etch rate up to 100 nanometers/ mines have been reached along with selectivity of 6:1 against SiO₂, that shows suitability of the given technology for use in manufacture of white lightemitting diodes. Etching is carried out without use of aggressive gases containing chlorine and a fluorine.