Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія

Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія

Силенко, П.М. ; Шлапак, А.М. ; Пилипчук, О.Ф. ; Дьячков, П.М. ; Солонін, Ю.М.

УДК: 661.1:661.65:661.68:669.046

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17690

Посилання: Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія / П.М. Силенко, А.М. Шлапак, О.Ф. Пилипчук, П.М. Дьячков, Ю.М. Солонін // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2009. — Вип. 16. — С. 136-141. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.

Дата: 2009

Завантажень: 893

Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія

Анотація:

Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і визначено, що оптимальною є температура синтезу 1300 °С. Дослідження нанокабелів BN―SiC методом просвічуючої електронної мікроскопії показали, що товщина покриттів становить 10―20 нм, а сформований шар покриття є гексагональним.

Показати повний запис статті