Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія

dc.contributor.author	Силенко, П.М.
dc.contributor.author	Шлапак, А.М.
dc.contributor.author	Пилипчук, О.Ф.
dc.contributor.author	Дьячков, П.М.
dc.contributor.author	Солонін, Ю.М.
dc.date.accessioned	2011-03-05T23:19:18Z
dc.date.available	2011-03-05T23:19:18Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія / П.М. Силенко, А.М. Шлапак, О.Ф. Пилипчук, П.М. Дьячков, Ю.М. Солонін // Электронная микроскопия и прочность материалов: Сб. научн . тр. — К.: ІПМ НАН України, 2009. — Вип. 16. — С. 136-141. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.	uk_UA
dc.identifier.issn	XXXX-0048
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/17690
dc.description.abstract	Проведено розрахунки залежності потенціалу Гіббса від температури для різних реакцій синтезу BN. В результаті дослідження процесу синтезу покриттів BN на поверхні нановолокон SiC методом хімічного газофазного осадження розроблено методику формування покриттів BN із нетоксичних вихідних матеріалів і визначено, що оптимальною є температура синтезу 1300 °С. Дослідження нанокабелів BN―SiC методом просвічуючої електронної мікроскопії показали, що товщина покриттів становить 10―20 нм, а сформований шар покриття є гексагональним.	uk_UA
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України	uk_UA
dc.title	Виготовлення нанокабелів BN—SiC методом CVD, їх структура та морфологія	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	661.1:661.65:661.68:669.046