Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Electric properties of TlInS₂ single crystals
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006, том 9
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Electric properties of TlInS₂ single crystals
Інший ID:
PACS 71.20.Nr; 72.20Fr; 72.20.Ht; 72.20 Jv
Посилання:
Electric properties of TlInS₂ single crystals / S.N. Mustafaeva, A.A. Ismailov, N.D. Akhmedzade // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 4. — С. 82-84. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.
Дата:
2006
Переглядів:
704
Завантажень:
295
Анотація:
Injection currents are studied in high-resistive layer of TlInS2 single crystals and the following parameters were determined: equilibrium concentration of charge carriers in the allowed band p0 = 1.67⋅10¹⁰ cm⁻³; concentration of traps Nt = 10¹²cm⁻³; capture factor θ = 0.17; mobility of charge carriers μ = 3.3⋅10⁻³cm²/V⋅s; the depth of trap level responsible for the injection current Et = 0.44 eV.
