Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, том 2
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
Інший ID:
PACS 81,65 C.
Посилання:
Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions / Z.F. Tomashik, S.G. Danylenko, V.N. Tomashik, M.Yu. Kravetski // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 4. — С. 73-75. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.
Дата:
1999
Переглядів:
696
Завантажень:
423
Анотація:
The nature and kinetics of InAs chemical dissolution and chemical cutting, in the bromine solutions in hydrobromic acid have been investigated. It was shown that at low (up to 6 vol.%) bromine concentrations the InAs dissolution rate grows linearly with bromine concentration. Such solutions may be used to chemically polish InAs. Solutions containing from 20 to 30 vol.% Br₂ in HBr dissolve InAs with the rate 25 to 50 µ/min forming polished surfaces with etch pits. Such solutions may be used to chemically cut indium arsenide.
