Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Features of photoinduced charge transfer in photomagnetic garnets YIG:Si and YIG:Co
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, том 4
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Features of photoinduced charge transfer in photomagnetic garnets YIG:Si and YIG:Co
Інший ID:
PACS: 72.10.D, 72.20.J, 75.50.G, 78.20.E, 85.60
Посилання:
Features of photoinduced charge transfer in photomagnetic garnets YIG:Si and YIG:Co / I.I. Davidenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 3. — С. 173-176. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.
Дата:
2001
Переглядів:
637
Завантажень:
365
Анотація:
Features of charge transfer under influence of linearly polarized light in photomagnetic garnets YIG:Si and YIG:Co are clarified. Comparative analysis of these two gernets is necessary to create a basis for the theoretical model of photoinduced magnetic effects (PME) in garnets and in other materials as well as for explanation of experimental results of PME observation in YIG:Co even at room temperatures. Known experimental results for YIG:Co are adequately explained and described within the scope of developed simplified theoretical model.
