Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, том 15
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates
Інший ID:
PACS 78.66.-w
Посилання:
Properties of CdSe heterolayers obtained by isovalent substitution on CdTe substrates / V.P. Makhniy, М.М. Slyotov, I.V. Tkachenko, А.М. Slyotov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 4. — С. 338-339. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
Дата:
2012
Переглядів:
735
Завантажень:
348
Анотація:
Using the isovalent substitution method, CdSe heterolayers of cubic
modification were obtained for the first time on single-crystal CdTe substrates, and their
basic physical properties were studied.
