Magnetic point contact in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, том 6
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, № 1
→
Переглянути статтю

Magnetic point contact in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As

Figielski, T. ; Wosinski, T. ; Morawski, A. ; Pelya, O. ; Makosa, A. ; Dobrowolski, W. ; Wrobel, J. ; Sadowski, J. ; Jagielski, J. ; Ratajczak, J.

Інший ID: PACS: 75.50.Pp; 75.75.+a; 85.80.Jm

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117941

Посилання: Magnetic point contact in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As / T. Figielski, T. Wosinski, A. Morawski, O. Pelya, A. Makosa, W. Dobrowolski, J. Wrobel, J. Sadowski, J. Jagielski, J. Ratajczak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 53-54. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Дата: 2003

Завантажень: 332

Magnetic point contact in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As

Анотація:

We show that narrow constrictions, a few hundred nanometers wide, in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As layer exhibit large spin-related magnetoresistance. Moreover, we demonstrate that application of oxygen-ions implantation, instead of chemical etching, is much better method of tailoring nanometer-size circuits in (Ga,Mn)As suitable for future spin electronics.

Показати повний запис статті