Показати простий запис статті

dc.contributor.author Figielski, T.
dc.contributor.author Wosinski, T.
dc.contributor.author Morawski, A.
dc.contributor.author Pelya, O.
dc.contributor.author Makosa, A.
dc.contributor.author Dobrowolski, W.
dc.contributor.author Wrobel, J.
dc.contributor.author Sadowski, J.
dc.contributor.author Jagielski, J.
dc.contributor.author Ratajczak, J.
dc.date.accessioned 2017-05-27T16:47:27Z
dc.date.available 2017-05-27T16:47:27Z
dc.date.issued 2003
dc.identifier.citation Magnetic point contact in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As / T. Figielski, T. Wosinski, A. Morawski, O. Pelya, A. Makosa, W. Dobrowolski, J. Wrobel, J. Sadowski, J. Jagielski, J. Ratajczak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 53-54. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS: 75.50.Pp; 75.75.+a; 85.80.Jm
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117941
dc.description.abstract We show that narrow constrictions, a few hundred nanometers wide, in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As layer exhibit large spin-related magnetoresistance. Moreover, we demonstrate that application of oxygen-ions implantation, instead of chemical etching, is much better method of tailoring nanometer-size circuits in (Ga,Mn)As suitable for future spin electronics. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Magnetic point contact in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Icon
Name: 11-Figielski.pdf
Розмір: 379.9Кб
Формат: PDF
Перегляд/Відкрити

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис