Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Determination of surface parameters of solids by methods of X-ray total external reflection
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, том 6
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, № 1
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Determination of surface parameters of solids by methods of X-ray total external reflection
Інший ID:
PACS: 61.10.Kw, 61.43.Hv, 68.35.-p
Посилання:
Determination of surface parameters of solids by methods of X-ray total external reflection / S.V. Balovsyak, I.M. Fodchuk, P.M. Lytvyn // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 41-46. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.
Дата:
2003
Переглядів:
671
Завантажень:
363
Анотація:
The series of GaAs and SiO₂ samples with the specially prepared one- and two-dimensional surface reliefs have been investigated by the methods of integral and differential curve total external reflection of X-rays. The direct and inverse problem was solved, taking into consideration data obtained by the method of atomic-force microscopy: the theoretical curves of total external reflection are calculated and parameters describing a surface relief of the samples are restored.
