Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011, том 14
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
Інший ID:
PACS 61.80.Ed, 61.82.Fk, 72.20.-i
Посилання:
Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge / G.P. Gaidar // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 3. — С. 294-297. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
Дата:
2011
Переглядів:
696
Завантажень:
354
Анотація:
Studying the γ-irradiation influence on the properties of n-type germanium (n - ‹GeAs›) within the interval of concentrations of the doping arsenic impurity 7.79×10¹³ ≤ NAs ≡ nc ≤ 6.36 × 10¹⁶cm⁻³ has shown that the initial resistivity of single crystals with concentrations NAs ≥ 5×10¹⁵ cm⁻³ remains constant within the accuracy of measurements carried out. Only in weakly doped crystals (with NAs ≈ 7.79×10¹³ cm⁻³ and less) the used doses of γ-irradiation cause appreciable reduction both in the carrier concentration nc and their mobility μ.
